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    本發明係提供一種可得與Al或Al合金之陽極的接觸電阻低，同時可得短波長區域之良好透過率之有機EL用透明導電膜及使用該透明導電膜之有機EL元件。在有機EL元件(10)之電場發光層(2)與Al或Al合金之金屬膜(3)之間所形成的有機EL用透明導電膜(1)，係由金屬成分元素之含有比例以原子比Al：0.7~7%、Mg：10~25%、殘留部分Zn之Al-Mg-Zn系氧化物所形成。
    公开号:TW201308591A
    申请号:TW101118993
    申请日:2012-05-28
    公开日:2013-02-16
    发明作者:shou-bin Zhang
    申请人:Mitsubishi Materials Corp；
    IPC主号:H01L51-00
    专利说明:
    有機EL用透明導電膜及使用該透明導電膜之有機EL元件
    本發明係有關一種使用於有機電致發光(EL)顯示裝置之透明導電膜及使用該透明導電膜之有機EL元件。
    一般而言，有機EL顯示裝置係在配置有開關元件之TFT(薄膜電晶體)之TFT主動矩陣基板上含有有機EL層之電場發光層的兩側上配設陽極(anode)與陰極(cathode)之有機EL元件，形成於各畫素區域上的構造。
    以往，該有機EL元件係使用Al或Al合金之金屬膜或Ag或Ag合金之金屬膜作為陽極之金屬膜。在該金屬膜與電場發光層之間設置ITO(Indium Tin Oxide：氧化銦錫)或AZO(Aluminum doped Zinc Oxide：添加鋁之氧化鋅)等之透明導電膜。該透明導電膜係以防止電場發光層中所含的硫(S)成分擴散於金屬膜為目的予以設置者。 [習知技術文獻] [專利文獻]
    [專利文獻1]日本特開2006-236839號公報 [非專利文獻]
    [非專利文獻1]神戶製鋼技報/Vol.57 No.1 (Apr. 2007)
    上述習知技術中殘留有下述課題。
    換言之，以往於金屬膜與電場發光層間之透明導電膜中所使用的ITO，會有與Al金屬膜的接觸電阻高之問題(參照非專利文獻1)。因此，採用對Al或Al合金之金屬膜而言可得低接觸電阻的AZO時，對來自金屬膜之反射光而言會有在可見光之短波長區域(波長380nm以下)內透過率變低的缺點。
    本發明係有鑑於前述課題者，以提供可得與Al或Al合金之金屬膜低的接觸電阻，且可得短波長區域之良好透過率的有機EL用透明導電膜及使用該透明導電膜之有機EL元件為目的。
    本發明為解決前述課題時，採用下述之構成。換言之，本發明之有機EL用透明導電膜，其係在含有有機EL元件之有機EL層的電場發光層與Al或Al合金之金屬膜之間所形成的透明導電膜，其特徵為由金屬成分元素之含有比例以原子比為Al：0.7~7%、Mg：10~25%、殘留部分Zn之Al-Mg-Zn系氧化物所形成。
    該有機EL用透明導電膜，由於金屬成分元素之含有比例以原子比為Al：0.7~7%、Mg：10~25%、殘留部分Zn之Al-Mg-Zn系氧化物所形成，藉由含有Al，與ITO相比時可得對Al或Al合金之金屬膜而言低的接觸電阻，且與AZO相比時可得在短波長區域內高的透過率。
    此處，使本發明之有機EL用透明導電膜中金屬成分元素之含有比例限制於上述範圍的理由，如下所述。 Al：
    Al係因具有提高透明導電膜之導電性的作用而添加，其含量未達0.7原子%時，導電性之提高效果不充分，另外，Al之含量超過7原子%時，由於載體濃度變高，透明導電膜之透明性降低，故不為企求。而且，本發明之透明導電膜中所含的全部金屬成分元素中所佔的Al或Al合金的含有比例，設定為Al：0.7~7原子%。 Mg：
    由於藉由含有10原子%以上之Mg作為透明導電膜中之金屬成分元素，視其含量而定可將接合能隙控制於3.5~4.2eV之範圍內，故可提高對短波長之光而言的透明性。此外，藉由添加Mg，可防止膜中過剩的載體濃度增加，亦可改善對近紅外線而言之透明性。另外，Mg含量超過25原子%時，由於在水份、氧存在下透明導電膜之導電性顯著降低，故將全部金屬成分元素中所佔的Mg之含有比例設定為Mg：10~25原子%。
    此外，本發明之有機EL用透明導電膜，其特徵為進一步含有以原子比為Ga：0.015~0.085%、且由Al-Mg-Ga-Zn系氧化物所形成。
    換言之，由於該有機EL用透明導電膜進一步含有以原子比為Ga：0.015~0.085%、且由Al-Mg-Ga-Zn系氧化物所形成，與沒有添加Ga之Al-Mg-Zn系氧化物透明導電膜相比時，具備更為優異的耐濕性，結果在使用環境中很少會有因水分、氧的存在而導致比電阻增大的情形，可抑制作為透明導電膜之膜特性惡化，且防止元件特性降低。
    此處，本發明之有機EL用透明導電膜中之Ga成分的含有比例限制於上述範圍內之理由，如下所述。 Ga：
    藉由含有0.015原子%以上之Ga作為透明導電膜中之金屬成分元素，不會損害膜之透明性且可維持接合能隙，可抑制在高溫高濕使用環境下之導電性惡化情形，而Ga之含量超過0.085%時，由於膜之導電性(成膜後、高溫高濕試驗前)降低，且作為透明導電膜之導電性不充分，故將透明導電膜中所含的全部金屬成分元素中所佔的Ga之含有比例設定為Ga：0.015~0.085原子%。
    本發明之有機EL元件，其係具備陽極、含有在該陽極上所形成的有機EL層之電場發光層、與在該電場發光層上所形成的陰極之有機EL元件，其特徵為前述陽極係具有Al或Al合金之金屬膜、與在該金屬膜與前述電場發光層之間所形成的上述本發明之有機EL用透明導電膜。
    換言之，由於該有機EL元件在Al或Al合金之金屬膜與電場發光層之間形成有上述本發明之有機EL用透明導電膜，故可藉由低接觸電阻以低電壓予以驅動，同時藉由高透明性，可製得在包含短波長區域之廣範區域內高的亮度。


    藉由本發明可達成下述之效果。
    換言之，藉由本發明之有機EL用透明導電膜，由於金屬成分元素之含有比例以原子比為Al：0.7~7%、Mg：10~25%、殘留部分Zn之Al-Mg-Zn系氧化物所形成，可得低接觸電阻且可得在短波長區域內之高透過率。此外，藉由含有微量的作為金屬成分元素之Ga，構成作為Al-Mg-Ga-Zn系氧化物透明導電膜，與不含Ga之Al-Mg-Zn系氧化物透明導電膜相比時，具備更為優異的耐濕性，結果很少會有因使用環境中之水分、氧存在而導致比電阻增加的情形。
    而且，藉由使用本發明之透明導電膜之有機EL元件，可得良好的電氣特性且可得在廣泛波長範圍內之高亮度，此外，藉由含有Ga，可抑制膜惡化且抑制經過長時間之發光效率降低的情形。[為實施發明之形態]
    於下述中，參照第1圖說明本發明之有機EL用透明導電膜及具備該膜之有機EL元件的一實施形態。
    本實施形態之有機EL用透明導電膜1，如第1圖所示，其係在有機EL元件10之電場發光層2與Al或Al合金之金屬膜3之間所形成的透明導電膜，其特徵為由金屬成分元素之含有比例以原子比為Al：0.7~7%、Mg：10~25%、殘留部分Zn之Al-Mg-Zn系氧化物所形成的膜。
    此外，該有機EL用透明導電膜1，係進一步含有以原子比為Ga：0.015~0.085%、且由Al-Mg-Ga-Zn系氧化物所形成的膜。
    而且，本實施形態之有機EL元件10，其係具備在成膜基板4上所形成的陽極5、含有在該陽極5上所形成的有機EL層2b之電場發光層2、與在該電場發光層2上所形成的陰極6之有機EL元件，其特徵為陽極5係具有Al或Al合金之金屬膜3、與在該金屬膜3與電場發光層2之間所形成的上述之有機EL用透明導電膜1。
    上述各層及膜之厚度，例如電場發光層2為100~200nm，有機EL用透明導電膜1為10~20nm，金屬膜3為100nm。
    上述電場發光層2係具有在陽極5上順序積層電洞輸送層2a、有機EL層2b、電子輸送層2c之三層構造。
    而且，構成電洞輸送層2a之有機高分子材料(電洞注入．輸送材料)，以具有輸送電洞之能力，具有自陽極5之電洞注入效果、及對有機EL層2b或發光材料而言優異的電洞注入效果，且可防止在有機EL層2b所生成的激勵子朝電子輸送層2c移動，及薄膜形成能力優異的化合物較佳。
    具體而言，例如酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、卟啉衍生物、噁唑、噁二唑、三唑、咪唑、咪唑酮、硫代咪唑、吡唑啉、吡唑啉酮、四氫咪唑、腙、醯基腙、聚芳基烷、芪、丁二烯、聯苯胺型三苯胺、苯乙烯胺型三苯胺、二胺型三苯胺等及此等之衍生物、聚乙烯基咔唑、聚矽烷等之高分子、聚乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟腦磺酸(PANI/CSA)等典型的導電性高分子等之高分子材料。
    有機EL層2b中所使用的發光材料，例如4,4’-(2,2-二苯基乙烯基)聯苯等之烯烴系發光材料、9,10-二(2-萘基)蒽、9,10-雙(3,5-二苯基苯基)蒽、9,10-雙(9,9-二甲基芴基)蒽、9,10-(4-(2,2-二苯基乙烯基)苯基)蒽、9,10’-雙(2-聯苯基)-9,9’-雙蒽、9,10,9’,10’-四苯基-2,2’-雙蒽基、1,4-雙(9-苯基-10-蒽基)苯等之蒽系發光材料、2,7,2’,7’-肆(2,2-二苯基乙烯基)螺旋雙芴等之螺旋系發光材料、4,4’-二咔唑基聯苯，1,3-二咔唑基苯等之咔唑系發光材料、1,3,5-三芘基苯等之芘系發光材料為典型的低分子發光材料、聚亞苯基亞乙烯基類、聚芴類、聚乙烯基咔唑類等為典型的高分子發光材料等。
    有機EL層2b中可掺雜有螢光色素，亦可掺雜有磷光色素。
    電子輸送層2c中所使用的電子注入．輸送材料，以具有輸送電子之能力，具有自陰極6之電子注入效果，對有機EL層2b或發光材料而言優異的電子注入效果，且可防止在有機EL層2b所生成的激勵子朝電洞注入層移動，及薄膜形成能力優異的化合物較佳。具體而言，例如芴酮、蒽醌二甲烷、二苯醌、吡喃二氧化硫、噁唑、噁二唑、三唑、咪唑、苝四羧酸、亞茀基甲烷、蒽醌二甲烷、蒽酮等及此等之衍生物。
    上述有機EL用透明導電膜1，係可使金屬成分元素之含有比例以原子比為Al：0.7~7%、Mg：10~25%、殘留部分Zn所形成的氧化物濺鍍靶、或以原子比為Al：0.7~7%、Mg：10~25%、Ga：0.015~0.085%、殘留部分Zn所形成的氧化物濺鍍靶，藉由DC濺射或脈動DC濺射予以成膜。
    該有機EL用透明導電膜1之比電阻約為1x10-3Ω．cm。
    此處，將濺鍍靶之成分組成如上述所設定的技術之理由，係如下所述。Al：
    由於含有0.7原子%以上之Al，具有可提高藉由濺鍍所得的透明導電膜之載體密度與電洞移動量，且提高膜之導電性的作用，惟其含量未達0.7原子%、或超過7原子%時，透明導電膜之導電性變低，不為企求。因此，該透明導電膜形成用濺鍍靶中所含的Al，設定為0.7~7原子%。Mg：
    Mg對調整藉由濺鍍所得的透明導電膜之接合能隙，與提高對短波長之光而言之透明性及提高對近紅外線波長而言之透明性為有效。Mg之含量未達10原子%時，無法得到充分的接合能隙之調整效果，對短波長而言膜之透明性提高效果變得不充分。Mg含量超過25原子%時，膜之導電性顯著降低。因此，該透明導電膜形成用濺鍍靶中所含的Mg，設定為10~25原子%。Ga：
    Ga對提高透明導電膜之耐濕性為有效。Ga之含量未達0.015原子%時，膜之耐濕性改善效果不充分，此外，Ga之含量超過0.085原子%時，膜之電阻顯著增大。因此，該透明導電膜形成用濺鍍靶中所含的Ga，設定為0.015~0.085原子%。
    而且，金屬成分元素之含有比例以原子比為Al：0.7~7%、Mg：10~25%、Ga：0.015~0.085%、殘留部分Zn所形成的氧化物濺鍍靶，由於可使靶之體積電阻抑制為0.1Ω．cm以下，故可藉由DC或脈動DC濺鍍，以高速成膜成高品質的透明導電膜。
    該透明導電膜形成用濺鍍靶，例如可藉由下述方法予以製作。而且，此處係以含有Ga時之氧化物濺鍍靶的製造例為一例進行說明。
    首先，進行稱重．配合一定組成之純度99.9%以上、平均一次粒子直徑5μm以下之Al2O3粉、MgO粉、Ga2O3粉及ZnO粉作為原料粉末，且以濕式球磨粉碎成平均粒子直徑為0.1~3.0μm後，在80℃下進行真空乾燥5小時。其次，可藉由將該經乾燥的混合粉填充於黑鉛的模具中，且在700~1300℃之溫度、0.5~5小時、加壓力：100~350kgf/cm2之條件，於真空中進行壓製，製作透明導電膜形成用濺鍍靶。
    進行濺鍍時之較佳的濺鍍條件，例如下所述。
    首先，濺鍍靶之相對密度以90%以上較佳，相對密度未達90%時，除成膜速度降低外，所得的膜之膜質降低。濺鍍靶之相對密度以95%以上更佳，以97%以上最佳。
    而且，上述濺鍍靶之純度，以99%以上較佳。純度未達99%時，因雜質而導致所得膜之導電性或化學安定性降低。另外，濺鍍靶之純度以99.9%以上更佳，以99.99%以上最佳。
    此外，使用上述的濺鍍靶進行濺鍍處理時，以先在濺鍍裝置之真空槽內裝設成膜用基板(以下稱為「成膜基板」)及濺鍍靶，且除去吸附於裝置、成膜基板、濺鍍靶等之水分為宜。
    上述水分之除去，例如可藉由在真空槽之到達真空壓力為5x10-4Pa以下為止進行真空除去予以進行。於真空除去之間以進行加熱較佳，藉由該加熱，可更為確實地進行水分除去，同時可縮短真空除去的時間。此時之到達真空壓力未達5x10-4Pa以下時，由於容易變得無法充分地除去吸附於裝置、成膜基板、濺鍍靶等之水分，故會降低所得的膜之緻密性，且對膜之導電性及耐濕性有所影響。而且，使用的濺鍍裝置之排氣系，以具有為除去水分時之水阱或吸氧劑較佳。
    於進行上述之真空排氣後，進行透明導電膜之成膜，惟於成膜時之真空度以1x10-2~1x100Pa較佳。該濺鍍氣壓未達1x10-2Pa(較1x10-2Pa更為低壓)時，成膜時之放電安定性降低，而超過1x100Pa時，不易使施加於濺鍍靶之施加電壓變高。成膜時之濺鍍氣壓以0.1~1x100Pa更佳。
    而且，成膜時之直流輸出力以1W/cm2以上10W/cm2以下較佳。該輸出力超過10W/cm2時，所得膜之緻密性降低，且不易製得高耐濕性透明導電膜。其次，成膜時之輸出力以3~10W/cm2更佳。此外，成膜時之電壓以100~400V較佳。
    成膜時之氣體環境，通常即使僅為氬氣(Ar氣體)時，仍可得充分的高透明性膜，惟亦可使用氬氣(Ar氣體)與氧氣(O2氣體)之混合氣體。Ar氣體與O2氣體之混合比例，係視使用的濺鍍靶之氧化狀態或成膜時之真空度及輸出力而不同，惟氣體環境中所佔的O2氣體之體積濃度超過5%時，變得所得膜之導電性容易降低。而且，成膜時氣體環境中所佔的O2氣體之體積濃度以5%以下較佳，以3%以下更佳。
    成膜時之基板溫度，可適當選自50℃~成膜基板之耐熱溫度的範圍內，惟基板溫度超過200℃時，由於大多數的樹脂基板超過其耐熱溫度，可使用的基板種類大受限制。另外，基板溫度未達50℃時，由於所得膜之緻密性降低，且不易製得高耐濕性透明導電膜，故於成膜時之基板溫度以50~200℃較佳，以80~200℃更佳，以100~200℃最佳。
    成膜基板4例如在TFT基板上形成有機EL用元件時，使用在其上方積層有SiN膜或閘絕緣膜之SiO2膜等複數個絕緣膜的玻璃基板或耐熱性樹脂基板等之絕緣性基板。
    本實施形態之有機EL用透明導電膜1，其係由金屬成分元素之含有比例以原子比為Al：0.7~7%、Mg：10~25%、殘留部分Zn之Al-Mg-Zn系氧化物所形成，藉由含有Al，與ITO相比時可得對Al或Al合金金屬膜3而言低的接觸電阻，同時與AZO相比時在短波長區域內可得高透過率。
    此外，本實施形態之有機EL元件10，由於在Al或Al合金之金屬膜3與電場發光層2之間形成上述有機EL用透明導電膜1，可藉由低接觸電阻以低電阻予以驅動，且藉由高透明性，在包含短波長區域之廣範範圍內可得高亮度。
    以上述本實施形態為基準，有關實際上成膜的有機EL用透明導電膜之實施例，於下述中說明。 [實施例]
    首先，說明有關製作使含有Ga之本發明有機EL用透明導電膜成膜的濺鍍靶。
    以表1所示之一定組成進行稱重．配合純度99.9%以上平均粒子直徑0.4μm之Al2O3原料粉、純度99.9%以上平均粒子直徑1μm之MgO原料粉、純度99.9%以上平均粒子直徑0.3μm之Ga2O3原料粉及純度99.9%以上平均粒子直徑0.4μm之ZnO原料粉作為原料粉末。將該配合的粉末投入聚乙烯製瓶中，且使用直徑3mm之氧化鋯球進行球磨，將混合粉之平均一次粒子直徑粉碎成0.3μm以下(而且，球磨中使用的溶媒為乙醇，不添加分散劑或其他的助劑)，且使到達目標平均粒子直徑之漿料予以大氣乾燥後，在80℃下進行真空乾燥5小時。
    使該經乾燥的混合粉填充於黑鉛的模具中，藉由在表1所示的一定燒結溫度及燒結時間、加壓力：350kgf/cm2之條件進行真空熱壓製，製作直徑165mmx厚度9mm之燒結體，然後，藉由機械加工，製作直徑152.4mmx厚度6mm之尺寸的表1所示的透明導電膜形成用濺鍍靶(以下表示實施例1~6)。
    然後，藉由配合表1所示之原料粉，調製不含Ga2O3成分之原料粉，且以與上述實施例1~實施例6相同的方法，製作實施例7~10之濺鍍靶。
    而且，如表1所示調製Al及Mg中至少1種的含量不在本發明範圍內之原料粉，以與上述實施例1~實施例6相同的方法，製作比較例1~4之濺鍍靶。
    另外，為比較時，製作使習知的ITO及AZO之有機EL用透明導電膜予以成膜時所使用的習知例1~3之濺鍍靶。
    習知例1、2之AZO濺鍍靶，係使用與上述實施例相同的原料粉，如表1所示之一定組成進行稱重．配合。將該配合的粉末投入球磨(珠磨)中，且使用直徑1mm之氧化鋯球進行球磨，將混合粉之平均一次粒子直徑粉碎成0.3μm以下。使用的溶媒為水。到達目標平均一次粒子直徑時，於漿料中添加黏著劑(PVA)，且以噴霧乾燥機進行乾燥造粒，再藉由模具以加壓成形，製作成形體。使所得的成形體在氧氣氣體環境中，以表1之條件進行燒結且經由機械研磨，作成濺鍍靶。
    習知例3之ITO濺鍍靶，係以表1所示之一定組成進行稱重．配合純度99.9%以上平均粒子直徑0.3μm之SnO2原料粉、純度99.9%以上平均粒子直徑0.4μm之In2O3原料粉。粒子之粉碎、混合、成形，係與習知例1、2相同地進行。使所得的成形體在氧氣氣體環境中，以表1之條件進行燒結且經由機械研磨，作成濺鍍靶。
    有關上述所得的實施例1~10、比較例1~4、習知例1~3之各濺鍍靶，求取理論密度比、比電阻及金屬元素之含量。理論密度比係指氧化物燒結體密度與理論密度之比例，理論密度係指由燒結體原料之組成與其結晶構造之參數，於完全沒有空孔等缺陷時所引導的密度。燒結體密度係測定重量與尺寸大小，藉由計算求得。
    此外，比電阻係藉由以三菱氣體化學製四探針電阻測定Loresta進行測定予以求取。另外，金屬元素之含量係自濺鍍靶採取分析用試料，且藉由ICP法(高頻率誘導結合電漿法)進行定量測定予以求取。
    上述各值如表1所示。
    其次，說明有關有機EL用透明導電膜之製作。
    使實施例1~10、比較例1~4、習知例1~3之各濺鍍靶使用In接合於銅製燒結板上，使用濺鍍裝置進行濺鍍，使表2所示之有機EL用透明導電膜予以成膜。
    表2之本實施例、比較例、習知例之濺鍍條件全部相同。於濺鍍時之到達真空壓力為5x10-4Pa，濺鍍時之Ar氣體壓力為0.67Pa，基板溫度為室溫~250℃之範圍內進行。而且，濺鍍時所使用的電源係日本MKS公司製直流(DC)電源RPG-50。投入電力密度為8W/cm2。而且，基板係使用無鹼玻璃(Corning公司1737#)。濺鍍時之異常放電及濺鍍後之濺鍍狀態如表2所示。
    膜中金屬成分元素之含量，係採取濺鍍膜作為分析用試料，藉由誘導結合電漿發光分光分析(ICP法)[使用機器：SPS-1500VR(Seiko電子工業公司製)]求取。表2中表示金屬成分元素之含量。
    此外，觀察有關實施例、比較例、習知例之各透明導電膜的膜特性(光透過率、耐濕性)。
    有關所得的有機EL用透明導電膜，膜厚係藉由觸針法[使用機器：DEKTAK3030(Sloan公司製)]求得，比電阻係藉由三菱氣體化學製四探針電阻測定計Loresta進行測定予以求得。膜之光透過率係藉由分光法[使用機器：U-3210(日立製作所公司製)]求得。表2中係表示光波長350nm、900nm之光透過率。
    膜之耐濕性評估係依照有機EL元件之評估為基準的耐濕試驗基準，在80℃、85%R.H之高溫高濕大氣環境中放置1000小時後之膜比電阻，藉由三菱氣體化學公司製四探針電阻測定器Loresta進行測定。表3中係表示各特性值。
    其次，為測定接觸電阻時，使Al膜以濺鍍法在玻璃基板上以150nm成膜，此外，於其上使用實施例、比較例、習知例之靶，形成100nm之透明導電膜。另外，使該積層膜在真空中、150℃下進行熱處理30分鐘後，藉由下述之TLM(Transmission Line Model)法測定接觸電阻，如表4記載。接觸電阻係以是否為0.01Ω．cm以上予以評估。0.01Ω．cm以上之接觸電阻，作為有機EL裝置時不為企求。
    TLM法係先在半導體基板上形成電極間隔不同的複數個電阻電極之電極對，有關各電極對，進行測定電阻。然後，在以電極間隔為橫軸、以電阻為縱軸之座標上標繪所測定的電阻，且由該標繪的點求取相近的1次直線之傾斜度，及由切片求取接觸電阻。
    比較表3~4之膜特性可知，相對於實施例1~10中350nm之短波長的透過率全部為90%以上而言，比較例1、2及習知例1~3皆未達90%。另外，有關膜之比電阻，相對於耐濕試驗前之實施例1~10全部為10mΩ．cm以下而言，比較例全部為100mΩ．cm以上。100mΩ．cm以上之比電阻不適合作為有機EL用透明導電膜。另外，有關耐濕試驗，相對於實施例1~10之膜全部為350mΩ．cm以下而言，比較例1、2與習知例1、2皆為1000mΩ．cm以上，比較例2、3亦呈現高的比電阻。
    有關與Al膜之接觸電阻，相對於實施例1~10皆為未達10-2Ω．cm之值而言，比較例1~4、習知例3則為10-2Ω．cm以上之值。10-2Ω．cm以上之接觸電阻特性，不適合作為有機EL用透明導電膜。
    而且，本發明之技術範圍不受限於上述實施形態及上述實施例所限制，在不會脫離本發明主旨的範圍內，可作各種變更。 [產業上之利用價值]
    如上所述，本發明之有機EL用透明導電膜，由於可哲與ITO相比時低的接觸電阻，且與AZO相比時在短波長區域內可得高透過率，故適合作為有機EL元件之Al或Al合金之金屬膜上的透明導電膜。換言之，將本發明之有機EL用透明導電膜使用於有機EL元件時，由於可得良好的電氣特性且在廣泛的波長區域內可得高亮度，故可期待作為以低電力構成高亮度的有機EL顯示裝置之畫素的元件。
    1‧‧‧有機EL用透明導電膜
    2‧‧‧電場發光層
    3‧‧‧Al或Al合金之金屬膜
    4‧‧‧成膜基板
    5‧‧‧陽極
    6‧‧‧陰極
    10‧‧‧有機EL元件
    [第1圖]係於本發明之有機EL用透明導電膜及具備該膜之有機EL元件的實施形態中，表示有機EL元件之構造的典型截面圖。
    1‧‧‧有機EL用透明導電膜
    2‧‧‧電場發光層
    2a‧‧‧電洞輸送層
    2b‧‧‧有機EL層
    2c‧‧‧電子輸送層
    3‧‧‧Al或Al合金之金屬膜
    4‧‧‧成膜基板
    5‧‧‧陽極
    6‧‧‧陰極
    10‧‧‧有機EL元件
    权利要求:
    Claims (3)
    [1] 一種有機EL用透明導電膜，其係在含有有機EL元件之有機EL層的電場發光層與Al或Al合金之金屬膜之間所形成的透明導電膜，其特徵為由金屬成分元素之含有比例以原子比為Al：0.7~7%、Mg：10~25%、殘留部分Zn之Al-Mg-Zn系氧化物所形成。
    [2] 如申請專利範圍第1項之有機EL用透明導電膜，其進一步含有以原子比為Ga：0.015~0.085%、且Al-Mg-Ga-Zn系氧化物所形成。
    [3] 一種有機EL元件，其係具備陽極、含有在該陽極上所形成的有機EL層之電場發光層、與在該電場發光層上所形成的陰極之有機EL元件，其特徵為前述陽極係具有Al或Al合金之金屬膜、與在該金屬膜與前述電場發光層之間所形成的如申請專利範圍第1項之有機EL用透明導電膜。
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    同族专利:
    公开号 | 公开日
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    CN103583085A|2014-02-12|
    WO2012169126A1|2012-12-13|
    TWI460853B|2014-11-11|
    JP2012256553A|2012-12-27|
    KR20140019837A|2014-02-17|
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    引用文献:
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